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CVD（化學(xué)氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過(guò)在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜。
1. 反應(yīng)室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應(yīng)溫度和材料。
2. 反應(yīng)氣體：根據(jù)所需的薄膜材料和結(jié)構(gòu)，可以使用不同的反應(yīng)氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應(yīng)物質(zhì)和反應(yīng)條件。
4. 反應(yīng)時(shí)間：根據(jù)所需的薄膜厚度和質(zhì)量，反應(yīng)時(shí)間可以從幾分鐘到幾小時(shí)不等。
5. 基底材料：CVD系統(tǒng)可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應(yīng)用領(lǐng)域：CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用
技術(shù)參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) |
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產(chǎn)品型號(hào) |
CY-PECVD100-1200-Q |
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頻電源 |
信號(hào)頻率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率輸出 |
0~300W |
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*大反射功率 |
100W |
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反射功率 |
<3W (*大功率時(shí)) |
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功率穩(wěn)定性 |
±0.1% |
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管式爐 |
管子材質(zhì) |
高純石英 |
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管子外徑 |
100mm |
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爐膛長(zhǎng)度 |
440mm |
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加熱區(qū)長(zhǎng)度 |
200mm+200mm (雙溫區(qū)) |
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連續(xù)工作溫度 |
≦1100℃ |
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溫控精度 |
±1℃ |
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溫控模式 |
30段程序控溫 |
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顯示模式 |
LCD觸摸屏 |
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密封方式 |
304 不銹鋼真空法蘭 |
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供氣系統(tǒng) |
通道數(shù) |
6通道 |
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測(cè)量單元 |
質(zhì)量流量計(jì) |
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測(cè)量范圍 |
A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2 |
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B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4 |
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C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4 |
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D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2 |
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E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3 |
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F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar |
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測(cè)量精度 |
±1.5%F.S |
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工作壓差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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接頭規(guī)格 |
1/4" 卡套接頭 |
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氣體混合罐 |
1L |
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真空系統(tǒng) |
機(jī)械泵 |
雙極旋片泵 |
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抽速 |
1.1L/S |
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真空測(cè)量 |
電阻規(guī) |
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極限真空 |
0.1Pa |
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抽氣接口 |
KF16 |
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滑軌 |
爐體可以滑動(dòng)，實(shí)現(xiàn)快速降溫 |
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供電電源 |
AC220V 50Hz |
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